前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202230926864362
整理番号：12A0764271
アルカリとハロゲンの吸着の際のGaAs(001)のエッチングと安定化
Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption
TERESHCHENKO O. E.
(Inst. of Semiconductor Physics, Novosibirsk, RUS)
,
TERESHCHENKO O. E.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
PAGET D.
(Physique de la matiere condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Palaiseau, FRA)
,
TOROPETSKY K. V.
(Inst. of Semiconductor Physics, Novosibirsk, RUS)
,
ALPEROVICH V. L.
(Inst. of Semiconductor Physics, Novosibirsk, RUS)
,
ALPEROVICH V. L.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
EREMEEV S. V.
(Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Tomsk, RUS)
,
BAKULIN A. V.
(Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Tomsk, RUS)
,
KULKOVA S. E.
(Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Tomsk, RUS)
,
EREMEEV S. V.
(Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
BAKULIN A. V.
(Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
KULKOVA S. E.
(Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
DOYLE B. P.
(INFM, CNR, Trieste, ITA)
,
DOYLE B. P.
(Univ. Johannesburg, Auckland Park, ZAF)
,
NANNARONE S.
(INFM, CNR, Trieste, ITA)
,
NANNARONE S.
(Universita di Modena e Reggio Emilia, Modena, ITA)
資料名：
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116 号： 15 ページ： 8535-8540 発行年： 2012年04月19日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。