文献
J-GLOBAL ID:201202230926864362
整理番号:12A0764271
アルカリとハロゲンの吸着の際のGaAs(001)のエッチングと安定化
Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption
著者 (16件):
TERESHCHENKO O. E.
(Inst. of Semiconductor Physics, Novosibirsk, RUS)
,
TERESHCHENKO O. E.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
PAGET D.
(Physique de la matiere condensee, Ecole Polytechnique, CNRS, Palaiseau, FRA)
,
TOROPETSKY K. V.
(Inst. of Semiconductor Physics, Novosibirsk, RUS)
,
ALPEROVICH V. L.
(Inst. of Semiconductor Physics, Novosibirsk, RUS)
,
ALPEROVICH V. L.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
EREMEEV S. V.
(Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Tomsk, RUS)
,
BAKULIN A. V.
(Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Tomsk, RUS)
,
KULKOVA S. E.
(Inst. of Strength Physics and Materials Sci., Tomsk, RUS)
,
EREMEEV S. V.
(Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
BAKULIN A. V.
(Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
KULKOVA S. E.
(Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
DOYLE B. P.
(INFM, CNR, Trieste, ITA)
,
DOYLE B. P.
(Univ. Johannesburg, Auckland Park, ZAF)
,
NANNARONE S.
(INFM, CNR, Trieste, ITA)
,
NANNARONE S.
(Universita di Modena e Reggio Emilia, Modena, ITA)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
116
号:
15
ページ:
8535-8540
発行年:
2012年04月19日
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)