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文献
J-GLOBAL ID：201202230973747374
整理番号：12A1377682
超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術
Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) Technology for Ultralow-Power (ULP) Applications
杉井信之
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
杉井信之
(ルネサスエレクトロニクス)
,
岩松俊明
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
岩松俊明
(ルネサスエレクトロニクス)
,
山本芳樹
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
山本芳樹
(ルネサスエレクトロニクス)
,
槇山秀樹
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
槇山秀樹
(ルネサスエレクトロニクス)
,
角村貴昭
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
角村貴昭
(ルネサスエレクトロニクス)
,
篠原博文
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
篠原博文
(ルネサスエレクトロニクス)
,
青野英樹
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
青野英樹
(ルネサスエレクトロニクス)
,
尾田秀一
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
尾田秀一
(ルネサスエレクトロニクス)
,
蒲原史朗
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
蒲原史朗
(ルネサスエレクトロニクス)
,
山口泰男
(超低電圧デバイス技術研究組合)
,
山口泰男
(ルネサスエレクトロニクス)
,
水谷朋子
(東大 生産技研)
,
平本俊郎
(東大 生産技研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 170(ICD2012 31-56) ページ： 29-32 発行年： 2012年07月26日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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