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文献
J-GLOBAL ID：201202230986183364
整理番号：12A0591382
パルスレーザーメルティング法によって深い準位をとる不純物を過飽和ドープしたシリコンの赤外光吸収
Strong mid infrared absorption in silicon supersaturated with deep-level impurity by pulsed laser melting
梅津郁朗
(甲南大)
,
香野淳
(福岡大)
,
川邊大介
(甲南大)
,
松田祐樹
(甲南大)
,
中川将
(甲南大)
,
杉村陽
(甲南大)
資料名：
電気学会光・量子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： OQD-12 号： 1-11 ページ： 47-50 発行年： 2012年03月09日
JST資料番号： Z0922A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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