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J-GLOBAL ID：201202231070509929 整理番号：12A1602419

薄いZnO界面層を介したn型GeにおけるFermi準位の脱ピン止めと低い電気抵抗率

Fermi-level unpinning and low resistivity in contacts to n-type Ge with a thin ZnO interfacial layer

著者 (9件)：

PARAMAHANS MANIK Prashanth

(Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...)

KESH MISHRA Ravi

(Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...)

PAVAN KISHORE V.

(Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...)

RAY Prasenjit

(Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...)

NAINANI Aneesh

(Applied Materials Inc., Santa Clara, California 94085, USA)

HUANG Yi-chiau

(Applied Materials Inc., Santa Clara, California 94085, USA)

ABRAHAM Mathew C.

(Applied Materials Inc., Santa Clara, California 94085, USA)

GANGULY Udayan

(Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...)

LODHA Saurabh

(Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai ...)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 101 号： 18 ページ： 182105-182105-5 発行年： 2012年10月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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