文献
J-GLOBAL ID:201202231358698386
整理番号:12A0273870
r-面サファイア上に成長させたa-面InGaN/GaNの多重量子井戸から成るLEDの成長と特性評価
Growth and characterization of a-plane InGaN/GaN multiple quantum well LEDs grown on r-plane sapphire
著者 (6件):
SONG Keun Man
(Korea Advanced Nano Fab Center (KANC), Suwon, KOR)
,
SONG Keun Man
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM Jong-Min
(Korea Advanced Nano Fab Center (KANC), Suwon, KOR)
,
SHIN Chan-Soo
(Korea Advanced Nano Fab Center (KANC), Suwon, KOR)
,
HWANG Sung-Min
(Korea Electronics Technol. Inst., Seongnam, KOR)
,
YOON Dae-Ho
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
1
ページ:
015011,1-6
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)