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文献
J-GLOBAL ID:201202231549248143   整理番号:12A0405478

電源デバイス・アプリケーションに対する4H-SiCウェハのラッピングおよびポリッシング技術の開発

Development of Lapping and Polishing Technologies of 4H-SiC Wafers for Power Device Applications
著者 (10件):
YASHIRO Hirokatsu
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
FUJIMOTO Tatsuo
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
OHTANI Noboru
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
HOSHINO Taizo
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
KATSUNO Masakazu
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
AIGO Takashi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
TSUGE Hiroshi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
NAKABAYASHI Masashi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
HIRANO Hosei
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
TATSUMI Kohei
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)

資料名:
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

巻: 600/603  号: Pt.2  ページ: 819-822  発行年: 2009年 
JST資料番号: D0716B  ISSN: 0255-5476  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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