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文献
J-GLOBAL ID：201202231549248143
整理番号：12A0405478
電源デバイス・アプリケーションに対する4H-SiCウェハのラッピングおよびポリッシング技術の開発
Development of Lapping and Polishing Technologies of 4H-SiC Wafers for Power Device Applications
YASHIRO Hirokatsu
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
FUJIMOTO Tatsuo
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
OHTANI Noboru
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
HOSHINO Taizo
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
KATSUNO Masakazu
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
AIGO Takashi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
TSUGE Hiroshi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
NAKABAYASHI Masashi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
HIRANO Hosei
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
TATSUMI Kohei
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 600/603 号： Pt.2 ページ： 819-822 発行年： 2009年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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