文献
J-GLOBAL ID:201202231593858455
整理番号:12A0714952
La2O3ゲートスタックMOSFETの電子移動度に対する遠隔Coulomb散乱の影響
The effect of remote Coulomb scattering on electron mobility in La2O3 gate stacked MOSFETs
著者 (12件):
MAMATRISHAT M
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KOUDA M
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWANAGO T
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAKUSHIMA K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
AHMET P
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
TSUTSUI K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KATAOKA Y
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
NISHIYAMA A
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SUGII N
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
NATORI K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HATTORI T
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
IWAI H
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
4
ページ:
45014,1-5
発行年:
2012年04月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)