文献
J-GLOBAL ID:201202231600526390
整理番号:12A0593533
HT-AlNバッファ層上のa面GaNにおける異方性結晶の変調
Modulation of anisotropic crystalline in a-plane GaN on HT-AlN buffer layer
著者 (5件):
LONG H.
(State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...)
,
YU T.j.
(State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...)
,
FANG H.
(State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...)
,
YANG Z.j.
(State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...)
,
ZHANG G.y.
(State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871 ...)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
258
号:
15
ページ:
5579-5582
発行年:
2012年05月15日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)