文献
J-GLOBAL ID:201202231717363271
整理番号:12A0480366
InAlN/GaN格子整合エピタキシーの組成不安定性
Compositional instability in InAlN/GaN lattice-matched epitaxy
著者 (7件):
WEI Q. Y.
(Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA)
,
LI T.
(Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA)
,
HUANG Y.
(Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA)
,
HUANG J. Y.
(Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA)
,
CHEN Z. T.
(Res. Center for Nano-Device and System, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho, Showa-Ku, Nagoya 466-8555, JPN)
,
EGAWA T.
(Res. Center for Nano-Device and System, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho, Showa-Ku, Nagoya 466-8555, JPN)
,
PONCE F. A.
(Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
9
ページ:
092101
発行年:
2012年02月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)