文献
J-GLOBAL ID:201202231950725140
整理番号:12A0121685
シリコン上のHfO2の原子層蒸着のin situ研究
In situ study of the atomic layer deposition of HfO2 on Si
著者 (4件):
KOLANEK Krzysztof
(Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU)
,
TALLARIDA Massimo
(Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU)
,
MICHLING Marcel
(Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU)
,
SCHMEISSER Dieter
(Dep. of Applied Physics and Sensors, Brandenburg Univ. of Technol., Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
30
号:
1
ページ:
01A143
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)