文献
J-GLOBAL ID:201202232157315914
整理番号:12A0025871
180nmフラッシュメモリ技術における放射線誘発の浅いトレンチ素子分離漏れ
Radiation-induced shallow trench isolation leakage in 180-nm flash memory technology
著者 (7件):
NING Bingxu
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
,
ZHANG Zhengxuan
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
,
LIU Zhangli
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
,
HU Zhiyuan
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
,
CHEN Ming
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
,
BI Dawei
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
,
ZOU Shichang
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
52
号:
1
ページ:
130-136
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)