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文献
J-GLOBAL ID:201202232268881005   整理番号:12A0589102

GaN自立基板上のn-GaN面内ホールトラップ濃度分布

著者 (10件):
松村俊哉
(Aichi Inst. of Technol.)
丸山雄史
(Aichi Inst. of Technol.)
山口真太朗
(Aichi Inst. of Technol.)
山田悠二郎
(Aichi Inst. of Technol.)
本田銀熙
(Aichi Inst. of Technol.)
徳田豊
(Aichi Inst. of Technol.)
上田博之
(Toyota Central R&D Lab., Inc.)
成田哲生
(Toyota Central R&D Lab., Inc.)
上杉勉
(Toyota Central R&D Lab., Inc.)
加地徹
(Toyota Central R&D Lab., Inc.)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)

巻: 59th  ページ: ROMBUNNO.17P-GP18-3  発行年: 2012年02月29日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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