文献
J-GLOBAL ID:201202232442908228
整理番号:12A1009954
希土類元素をドープしたa-Si:HとZnOおよびGaN膜の中心内4F遷移からの発光強度
Intensity of emission from intracenter 4f-transitions in a-Si:H, ZnO, and GaN films doped with rare-earth ions
著者 (4件):
MEZDROGINA M. M.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
EREMENKO M. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
TERUKOV E. I.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
KOZHANOVA Yu. V.
(St. Petersburg State Polytechnic Univ., 195251, St. Petersburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
46
号:
7
ページ:
901-912
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)