文献
J-GLOBAL ID:201202232455538772
整理番号:12A0764876
GaNにおけるSi+プラス注入,及び,活性化:サファイヤ上のGaN,及びシリコン上のGaNの比較
Si+ Implantation and Activation in GaN Comparison of GaN on Sapphire and GaN on Silicon
著者 (7件):
BAZIN Anne-Elisabeth
(STMicroelectronics, Tours, FRA)
,
CAYREL Frederic
(Univ. Tours, Tours, FRA)
,
LAMHAMDI Mohamed
(Univ. Tours, Tours, FRA)
,
YVON Arnaud
(STMicroelectronics, Tours, FRA)
,
HOUDBERT Jean-Christophe
(STMicroelectronics, Tours, FRA)
,
COLLARD Emmanuel
(STMicroelectronics, Tours, FRA)
,
ALQUIER Daniel
(Univ. Tours, Tours, FRA)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
711
ページ:
213-217
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)