文献
J-GLOBAL ID:201202232780865208
整理番号:12A0809479
水素イオン注入とアニーリングによって形成したダイヤモンドの中の伝導層
Conductive layers in diamond formed by hydrogen ion implantation and annealing
著者 (6件):
POPOV V.p.
(A.V. Rhzanov Inst. of Semiconductor Physics, SB RAS, 630090 Novosibirsk, RUS)
,
SAFRONOV L.n.
(A.V. Rhzanov Inst. of Semiconductor Physics, SB RAS, 630090 Novosibirsk, RUS)
,
NAUMOVA O.v.
(A.V. Rhzanov Inst. of Semiconductor Physics, SB RAS, 630090 Novosibirsk, RUS)
,
NIKOLAEV D.v.
(A.V. Rhzanov Inst. of Semiconductor Physics, SB RAS, 630090 Novosibirsk, RUS)
,
KUPRIYANOV I.n.
(V.S. Sobolev Inst. of Geology and Mineralogy, SB RAS, 630090 Novosibirsk, RUS)
,
PALYANOV Yu.n.
(V.S. Sobolev Inst. of Geology and Mineralogy, SB RAS, 630090 Novosibirsk, RUS)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
282
ページ:
100-107
発行年:
2012年07月01日
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)