文献
J-GLOBAL ID:201202233321122681
整理番号:12A0764867
パワーデバイス用途向けの3インチSiCウェーハの低温フォトルミネッセンスの調査
Low Temperature Photoluminescence Investigation of 3-inch SiC Wafers for Power Device Applications
著者 (10件):
PEYRE H.
(Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA)
,
SUN J.
(Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA)
,
SUN J.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
GUELFUCCI J.
(Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA)
,
JUILLAGUET S.
(Univ. Montpellier 2, Montpeilier, FRA)
,
HASSAN J.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HENRY A.
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
CONTRERAS S.
(Lab. Charles Coulomb, CNRS, Montpellier, FRA)
,
BROSSELARD P.
(UCB-Lyon1, Villeurbanne, FRA)
,
CAMASSEL J.
(Lab. Charles Coulomb, CNRS, Montpellier, FRA)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
711
ページ:
164-168
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)