文献
J-GLOBAL ID:201202233534383632
整理番号:12A0684949
in-situリンドープGe層の構造的,電気的および光学的特性
Structural, electrical and optical properties of in-situ phosphorous-doped Ge layers
著者 (6件):
HARTMANN J.m.
(CEA-LETI, Minatec Campus, 17, Rue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
BARNES J.p.
(CEA-LETI, Minatec Campus, 17, Rue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
VEILLEROT M.
(CEA-LETI, Minatec Campus, 17, Rue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
FEDELI J.m.
(CEA-LETI, Minatec Campus, 17, Rue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
BENOIT A LA GUILLAUME Q.
(CEA-INAC, 17, Rue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
CALVO V.
(CEA-INAC, 17, Rue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
347
号:
1
ページ:
37-44
発行年:
2012年05月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)