文献
J-GLOBAL ID:201202233600111118
整理番号:12A1754299
表面帯電誘導ゲート酸化劣化
Surface Charging Induced Gate Oxide Degradation
著者 (8件):
CHIANG C. L.
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHENG C. M.
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HSIEH J. Y.
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LIAO J. H.
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
YANG L. W.
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
YANG T. H.
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN K. C.
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LU Chih-Yuan
(Macronix International Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名:
Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena
(Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻:
187
ページ:
67-70
発行年:
2012年
JST資料番号:
T0583A
ISSN:
1012-0394
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)