文献
J-GLOBAL ID:201202233623039813
整理番号:12A1767991
原子層堆積ゲート絶縁体を用いたInSb量子井戸の特性評価
Characterization of InSb quantum wells with atomic layer deposited gate dielectrics
著者 (7件):
UDDIN M. M.
(Dep. of Physics, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8578, JPN)
,
LIU H. W.
(ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN)
,
YANG K. F.
(ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN)
,
NAGASE K.
(ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, JPN)
,
MISHIMA T. D.
(Homer L. Dodge Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Oklahoma, 440 West Brooks, Norman, Oklahoma 73019-2061, USA)
,
SANTOS M. B.
(Homer L. Dodge Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Oklahoma, 440 West Brooks, Norman, Oklahoma 73019-2061, USA)
,
HIRAYAMA Y.
(Dep. of Physics, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8578, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
23
ページ:
233503-233503-4
発行年:
2012年12月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)