文献
J-GLOBAL ID:201202234201059761
整理番号:12A0582085
走査非線形 誘電顕微鏡を使った高次非線形誘電率の検出による金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体フラッシュメモリ ゲート薄膜の局所化電子の視覚化
Visualization of Electrons Localized in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Flash Memory Thin Gate Films by Detecting High-Order Nonlinear Permittivity Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
著者 (2件):
HONDA Koichiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
CHO Yasuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
5
号:
3
ページ:
036602.1-036602.3
発行年:
2012年03月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)