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文献
J-GLOBAL ID：201202234342916170
整理番号：12A0583503
MgドープZnO障壁を有する完全エピタキシャル成長のZnO:Coベース磁気トンネル接合における増強されたトンネル磁気抵抗効果
Enhanced tunnel magnetoresistance in fully epitaxial ZnO:Co-based magnetic tunnel junctions with Mg-doped ZnO barrier
HE Shumin
(School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
BAI Hongliang
(School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
LIU Guolei
(School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
LI Qiang
(School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
YAN Shishen
(School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
CHEN Yanxue
(School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
MEI Liangmo
(School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
LIU Houfang
(State Key Lab. of Magnetism, Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of ...)
,
WANG Shouguo
(State Key Lab. of Magnetism, Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of ...)
,
HAN Xiufeng
(State Key Lab. of Magnetism, Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 13 ページ： 132406-132406-3 発行年： 2012年03月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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