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文献
J-GLOBAL ID：201202234495559384
整理番号：12A0895083
La2-xSrxCuO4中のドーピングの関数としての面内Cu-O結合分布と電荷不均一性
In-plane Cu-O bond distribution and charge inhomogeneity in La2-xSrxCuO4 as a function of doping
SAINI N. L.
(Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “La Sapienza,” P. le Aldo Moro 2, 00185 Roma, ITA)
,
OYANAGI H.
(Photonic Div., National Inst. of Industrial Sci. and Technol., Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono Tsukuba, JPN)
,
ADACHI T.
(Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
NOJI T.
(Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
SATO H.
(Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
KOIKE Y.
(Dep. of Applied Physics, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 111 号： 11 ページ： 112622-112622-4 発行年： 2012年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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