文献
J-GLOBAL ID:201202234691219400
整理番号:12A1514763
PECVD法によって堆積させた拡散ドープ源用リンドープ酸化シリコン層の解析
Analysis of Phosphorus-Doped Silicon Oxide Layers Deposited by Means of PECVD as a Dopant Source in Diffusion Processes
著者 (8件):
FALLISCH A.
(Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
,
WAGENMANN D.
(Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
,
KEDING R.
(Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
,
TROGUS D.
(Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
,
HOFMANN M.
(Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
,
RENTSCH J.
(Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
,
REINECKE H.
(Univ. Freiburg, Freiburg, DEU)
,
BIRO D.
(Fraunhofer Inst. Solar Energy Systems, Freiburg, DEU)
資料名:
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻:
2
号:
4
ページ:
450-456
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
W2305A
ISSN:
2156-3381
CODEN:
IJPEG8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)