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文献
J-GLOBAL ID：201202234811646111
整理番号：12A1321437
AGNRとAGNRFETの有効質量,バンドギャップ,デバイス特性および性能研究
The Effective Mass, Band Gap, Device Characteristics, and Performance Considerations for AGNR and AGNRFETs
XIA Tongsheng
(Beihang Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Yu
(Beihang Univ., Beijing, CHN)
,
ZHANG Liujun
(Beihang Univ., Beijing, CHN)
,
LI Hongge
(Beihang Univ., Beijing, CHN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59 号： 9 ページ： 2290-2295 発行年： 2012年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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