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文献
J-GLOBAL ID：201202234961009160
整理番号：12A1447073
選択的に成長したn+-サイドゲートを有するダイヤモンドの接合型電界効果トランジスタ
Diamond Junction Field-Effect Transistors with Selectively Grown n+-Side Gates
IWASAKI Takayuki
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
IWASAKI Takayuki
(JST, Tokyo, JPN)
,
IWASAKI Takayuki
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
HOSHINO Yuto
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TSUZUKI Kohei
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KATO Hiromitsu
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
KATO Hiromitsu
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
MAKINO Toshiharu
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
MAKINO Toshiharu
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
OGURA Masahiko
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
OGURA Masahiko
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TAKEUCHI Daisuke
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
TAKEUCHI Daisuke
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
MATSUMOTO Tsubasa
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
MATSUMOTO Tsubasa
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
OKUSHI Hideyo
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
OKUSHI Hideyo
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
YAMASAKI Satoshi
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
YAMASAKI Satoshi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
HATANO Mutsuko
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HATANO Mutsuko
(JST, Tokyo, JPN)
,
HATANO Mutsuko
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 5 号： 9 ページ： 091301.1-091301.3 発行年： 2012年09月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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