文献
J-GLOBAL ID:201202235178234476
整理番号:12A0146754
自己種結晶形成方式垂直Bridgman法によるCdSiP2単結晶の育成
Growth of CdSiP2 single crystals by self-seeding vertical Bridgman method
著者 (5件):
ZHANG Guodong
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
TAO Xutang
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
RUAN Huapeng
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
WANG Shanpeng
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
SHI Qiong
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
340
号:
1
ページ:
197-201
発行年:
2012年02月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)