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文献
J-GLOBAL ID：201202235307467210
整理番号：12A1203669
フェムト秒レーザ照射炭化けい素単結晶におけるナノボイドの形成
Formation of Nanovoids In Femtosecond Laser-irradiated Single Crystals of Silicon Carbide
OKADA Tatsuya
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
TOMITA Takuro
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
MATSUO Shigeki
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
HASHIMOTO Shuichi
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
KASHINO Ryota
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
ITO Takuto
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 725 ページ： 19-22 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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