文献
J-GLOBAL ID:201202235944506106
整理番号:12A0238114
high-k Er2TiO5電解質-絶縁物-半導体pHセンサの構造特性と検出特性に対するポスト蒸着アニーリングの影響
Postdeposition Anneal on Structural and Sensing Characteristics of High-κ Er2TiO5 Electrolyte-Insulator-Semiconductor pH Sensors
著者 (3件):
PAN Tung-Ming
(Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
LIN Chao-Wen
(Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
HSU Ben-Ker
(Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
1
ページ:
116-118
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)