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J-GLOBAL ID：201202236090254830 整理番号：12A1387270

Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on an AlN intermediate layer on Si(100) substrate

著者 (4件)：

中澤日出樹

(弘前大理工)

鈴木大樹

(弘前大理工)

成田次理

(弘前大理工)

山本陽平

(弘前大理工)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 112 号： 175(CPM2012 33-50) ページ： 5-10 発行年： 2012年08月01日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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