文献
J-GLOBAL ID:201202236980375928
整理番号:12A1024248
エピタキシャルグラフェン-緩衝層-SiC基板系における原子の置換エネルギー
Energy of substitution of atoms in the epitaxial graphene-buffer layer-SiC substrate system
著者 (2件):
DAVYDOV S. Yu.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
DAVYDOV S. Yu.
(St. Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, ul. Professora Popova 5, 197376, St. Petersburg, RUS)
資料名:
Physics of the Solid State
(Physics of the Solid State)
巻:
54
号:
4
ページ:
875-882
発行年:
2012年04月
JST資料番号:
W0823A
ISSN:
1063-7834
CODEN:
PSOSED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)