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文献
J-GLOBAL ID：201202236980375928
整理番号：12A1024248
エピタキシャルグラフェン-緩衝層-SiC基板系における原子の置換エネルギー
Energy of substitution of atoms in the epitaxial graphene-buffer layer-SiC substrate system
DAVYDOV S. Yu.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
DAVYDOV S. Yu.
(St. Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, ul. Professora Popova 5, 197376, St. Petersburg, RUS)
資料名：
Physics of the Solid State
(Physics of the Solid State)
巻： 54 号： 4 ページ： 875-882 発行年： 2012年04月
JST資料番号： W0823A ISSN： 1063-7834 CODEN： PSOSED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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