文献
J-GLOBAL ID:201202237089049951
整理番号:12A0430649
走査電子顕微鏡を利用する半導体の表面電位の測定
Measurement of semiconductor surface potential using the scanning electron microscope
著者 (3件):
HEATH Jennifer T.
(Linfield Coll., McMinnville, Oregon 97128, USA)
,
JIANG Chun-sheng
(National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA)
,
AL-JASSIM Mowafak M.
(National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
4
ページ:
046103
発行年:
2012年02月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)