文献
J-GLOBAL ID:201202237200461182
整理番号:12A1510414
SOIトンネル電界効果トランジスタのためのDCコンパクトモデル
DC Compact Model for SOI Tunnel Field-Effect Transistors
著者 (3件):
BHUSHAN Bharat
(Applied Materials, Singapore)
,
NAYAK Kaushik
(Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
,
RAO V.Ramgopal
(Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
10
ページ:
2635-2642
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)