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文献
J-GLOBAL ID：201202237439708139
整理番号：12A0670000
InGaN/GaN太陽電池の微細構造と性能に及ぼす量子井戸キャップ層厚の影響
Effect of quantum well cap layer thickness on the microstructure and performance of InGaN/GaN solar cells
HU Yan-ling
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
FARRELL Robert M.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
NEUFELD Carl J.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
IZA Michael
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
CRUZ Samantha C.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
PFAFF Nathan
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SIMEONOV Dobri
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
KELLER Stacia
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
NAKAMURA Shuji
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SPECK James S.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 16 ページ： 161101-161101-4 発行年： 2012年04月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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