文献
J-GLOBAL ID:201202237978272182
整理番号:12A1237697
Schottkyダイオード特性への各種処理の効果
Effect of various treatments on Schottky diode properties
著者 (1件):
PASHAEV I. Q.
(Baku State Univ., Acad. Zahid Khalilov str. 23, AZ-1148, Baku, Azerbaijan)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
46
号:
8
ページ:
1085-1087
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)