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文献
J-GLOBAL ID：201202238431917312
整理番号：12A1154357
InGaN系垂直発光ダイオード用の透明導電膜としての部分サンドイッチ型グラフェン
Partially sandwiched graphene as transparent conductive layer for InGaN-based vertical light emitting diodes
WANG Liancheng
(Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
ZHANG Yiyun
(Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
LI Xiao
(Dep. of Mechanical Engineering, Key Lab. for Advanced Manufacturing by Materials Processing Technol., Tsinghua Univ. ...)
,
LIU Zhiqiang
(Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
GUO Enqing
(Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
YI Xiaoyan
(Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
WANG Junxi
(Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
,
ZHU Hongwei
(Dep. of Mechanical Engineering, Key Lab. for Advanced Manufacturing by Materials Processing Technol., Tsinghua Univ. ...)
,
WANG Guohong
(Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 6 ページ： 061102-061102-4 発行年： 2012年08月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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