文献
J-GLOBAL ID:201202238439343498
整理番号:12A0652271
亜酸化ケイ素膜中の抵抗スイッチング
Resistive switching in silicon suboxide films
著者 (9件):
MEHONIC Adnan
(Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR)
,
CUEFF Sebastien
(CIMAP, UMR CNRS 6252 ENSICAEN, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
,
WOJDAK Maciej
(Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR)
,
HUDZIAK Stephen
(Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR)
,
JAMBOIS Olivier
(MIND-IN2UB, Dep. Electronica, Univ. de Barcelona, Marti i Franques 1, 08028, Barcelona, CAT, ESP)
,
LABBE Christophe
(CIMAP, UMR CNRS 6252 ENSICAEN, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
,
GARRIDO Blas
(MIND-IN2UB, Dep. Electronica, Univ. de Barcelona, Marti i Franques 1, 08028, Barcelona, CAT, ESP)
,
RIZK Richard
(CIMAP, UMR CNRS 6252 ENSICAEN, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
,
KENYON Anthony J.
(Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
7
ページ:
074507-074507-9
発行年:
2012年04月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)