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文献
J-GLOBAL ID：201202238712197548
整理番号：12A0893944
テーパー電子ブロック層を用いたAlN基板上の250nmAlInNレーザダイオードの設計と解析
Design and Analysis of 250-nm AlInN Laser Diodes on AlN Substrates Using Tapered Electron Blocking Layers
SATTER Md. Mahbub
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
KIM Hee-Jin
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
LOCHNER Zachary
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
RYOU Jae-Hyun
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
SHEN Shyh-Chiang
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
DUPUIS Russell D.
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
YODER Paul Douglas
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48 号： 5-6 ページ： 703-711 発行年： 2012年05月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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