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文献
J-GLOBAL ID:201202238750460040   整理番号:12A0771338

選択エリアMOVPEによって成長した3DGaN構造の極性制御

Polarity Control in 3D GaN Structures Grown by Selective Area MOVPE
著者 (11件):
WANG Xue
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
LI Shunfeng
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
FUENDLING Soenke
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
WEI Jiandong
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
ERENBURG Milena
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
WEHMANN Hergo-H.
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
WAAG Andreas
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
BERGBAUER Werner
(Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
STRASSBURG Martin
(Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
JAHN Uwe
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
RIECHERT Henning
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)

資料名:
Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)

巻: 12  号:ページ: 2552-2556  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: W1323A  ISSN: 1528-7483  CODEN: CGDEFU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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