文献
J-GLOBAL ID:201202238750460040
整理番号:12A0771338
選択エリアMOVPEによって成長した3DGaN構造の極性制御
Polarity Control in 3D GaN Structures Grown by Selective Area MOVPE
著者 (11件):
WANG Xue
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
LI Shunfeng
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
FUENDLING Soenke
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
WEI Jiandong
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
ERENBURG Milena
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
WEHMANN Hergo-H.
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
WAAG Andreas
(TU Braunschweig, Braunschweig, DEU)
,
BERGBAUER Werner
(Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
STRASSBURG Martin
(Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
JAHN Uwe
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
RIECHERT Henning
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名:
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻:
12
号:
5
ページ:
2552-2556
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
W1323A
ISSN:
1528-7483
CODEN:
CGDEFU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)