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文献
J-GLOBAL ID：201202239601722267
整理番号：12A0853535
Cr水溶液で洗ったSi(001)ウェハにおけるSchottky障壁から原子架橋型表面光起電への移行
Translation from Schottky Barrier to Atomic Bridging-Type Surface Photovoltages in Cr-Aqueous-Solution-Rinsed Si(001) Wafers
SHIMIZU Hirofumi
(Nihon Univ., Fukushima, JPN)
,
SANADA Yuji
(Nihon Univ., Fukushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 5,Issue 1 ページ： 055702.1-055702.5 発行年： 2012年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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