文献
J-GLOBAL ID:201202239958004834
整理番号:12A0741426
分子メモリ切替え素子としてロジウムのアゾアニオンラジカル錯体:分離,特性化及び電流電圧特性の評価
Azo Anion Radical Complex of Rhodium as a Molecular Memory Switching Device: Isolation, Characterization, and Evaluation of Current-Voltage Characteristics
著者 (5件):
PAUL Nanda D.
(Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND)
,
RANA Utpal
(Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND)
,
GOSWAMI Sreetosh
(Bengal Engineering and Sci. Univ., Howrah, IND)
,
MONDAL Tapan K.
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
GOSWAMI Sreebrata
(Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND)
資料名:
Journal of the American Chemical Society
(Journal of the American Chemical Society)
巻:
134
号:
15
ページ:
6520-6523
発行年:
2012年04月18日
JST資料番号:
C0254A
ISSN:
0002-7863
CODEN:
JACSAT
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)