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文献
J-GLOBAL ID：201202240417138992
整理番号：12A1598348
InGaAsの分子ビームエピタクシー成長中の高速三次元逆空間マッピング
High-speed three-dimensional reciprocal-space mapping during molecular beam epitaxy growth of InGaAs
HU Wen
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
SUZUKI Hidetoshi
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
SASAKI Takuo
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
KOZU Miwa
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
TAKAHASI Masamitu
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
TAKAHASI Masamitu
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名：
Journal of Applied Crystallography
(Journal of Applied Crystallography)
巻： 45 号： 5 ページ： 1046-1053 発行年： 2012年10月
JST資料番号： D0631A ISSN： 0021-8898 CODEN： JACGAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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