文献
J-GLOBAL ID:201202240978373079
整理番号:12A1500677
最適アニールによる,フラッシュメモリにおける電荷蓄積層としてのGeONの性能改善
Improved performance of GeON as charge storage layer in flash memory by optimal annealing
著者 (2件):
TAO Q.b.
(Dep. of Electrical & Electronic Engineering, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
,
LAI P.t.
(Dep. of Electrical & Electronic Engineering, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
52
号:
11
ページ:
2597-2601
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)