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文献
J-GLOBAL ID：201202241153525000
整理番号：12A0722551
金属-強誘電体-絶縁体-半導体キャパシタにおける保持特性に及ぼす基板シリコンのドーピング濃度の効果
Effect of doping concentration of substrate silicon on retention characteristics in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors
XIAO Y. G.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
,
XIONG Y.
(The School of Mathematics and Computational Sci., Xiangtan Univ., Xiangtan, Hunan 411105, People’s Republic of China)
,
TANG M. H.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
,
LI J. C.
(ASIC R&D Center, School of Electronic Sci. and Engineering of National Univ. of Defense Technol., Changsha, Hunan ...)
,
CHENG C. P.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
,
JIANG B.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
,
TANG Z. H.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
,
LV X. S.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
,
CAI H. Q.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
,
GU X. C.
(ASIC R&D Center, School of Electronic Sci. and Engineering of National Univ. of Defense Technol., Changsha, Hunan ...)
,
ZHOU Y. C.
(Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 17 ページ： 173504-173504-4 発行年： 2012年04月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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