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文献
J-GLOBAL ID：201202241684008859
整理番号：12A1333001
標準および歪n,pチャネルMuGFETへの60MeV陽子照射の影響
Influence of 60-MeV Proton-Irradiation on Standard and Strained n- and p-Channel MuGFETs
AGOPIAN Paula G.D.
(Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA)
,
AGOPIAN Paula G.D.
(Centro Universitario da FEI, BRA)
,
MARTINO Joao A.
(Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA)
,
KOBAYASHI Daisuke
(Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA), Sagamihara, JPN)
,
SIMOEN Eddy
(Imec, Leuven,BEL)
,
CLAEYS Cor
(Imec, Leuven,BEL)
,
CLAEYS Cor
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 59 号： 4,Pt.1 ページ： 707-713 発行年： 2012年08月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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