文献
J-GLOBAL ID:201202241715498736
整理番号:12A1645763
ゲートコンタクトでの界面準位と界面層の存在下におけるMESFETの飽和速度モデル
Saturated velocity model of MESFET in the presence of interface states and interfacial layer at the gate contact
著者 (3件):
CHATTOPADHYAY P
(Univ. of Calcutta, Kolkata, IND)
,
DUTTA S
(Univ. of Calcutta, Kolkata, IND)
,
DUTTA S
(Vidyasagar Univ., West Bengal, IND)
資料名:
Indian Journal of Pure & Applied Physics
(Indian Journal of Pure & Applied Physics)
巻:
50
号:
4
ページ:
265-271
発行年:
2012年04月
JST資料番号:
C0728A
ISSN:
0019-5596
CODEN:
IJOPAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
インド (IND)
言語:
英語 (EN)