文献
J-GLOBAL ID:201202241746930636
整理番号:12A1756901
C面サファイア上に成長させたバンドギャップ加工したα-(CrxFe1-x)2O3薄膜(0≦x≦1)に関するエピタキシャル構造
Epitaxial Structures of Band-Gap-Engineered α-(CrxFe1-x)2O3 (0≦x≦1) Films Grown on C-Plane Sapphire
著者 (4件):
MASHIKO Hisanori
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OSHIMA Takayoshi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OHTOMO Akira
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OHTOMO Akira
(Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
11,Issue 2
ページ:
11PG11.1-11PG11.5
発行年:
2012年11月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)