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文献
J-GLOBAL ID：201202241917460641
整理番号：12A0859177
GaAsのナノ構造化(311)表面からのテラヘルツパルス放出
Terahertz Pulse Emission from Nanostructured (311) Surfaces of GaAs
ADOMAVICIUS R.
(Semiconductor Physics Inst. of Center for Physical Sciences and Technol., A.Gostauto 11, 01108, Vilnius, LTU)
,
ADAMONIS J.
(Semiconductor Physics Inst. of Center for Physical Sciences and Technol., A.Gostauto 11, 01108, Vilnius, LTU)
,
BICIUNAS A.
(Semiconductor Physics Inst. of Center for Physical Sciences and Technol., A.Gostauto 11, 01108, Vilnius, LTU)
,
KROTKUS A.
(Semiconductor Physics Inst. of Center for Physical Sciences and Technol., A.Gostauto 11, 01108, Vilnius, LTU)
,
ATRASHCHENKO A.
(Ioffe Inst., Polytechnicheskaya 26, 194021, St Petersburg, RUS)
,
EVTIKHIEV V.
(Ioffe Inst., Polytechnicheskaya 26, 194021, St Petersburg, RUS)
,
ULIN V.
(Ioffe Inst., Polytechnicheskaya 26, 194021, St Petersburg, RUS)
,
KALITEEVSKI M.
(Durham Univ., Dep. of Physics, DH1 3LE, Durham, GBR)
,
ABRAM R.
(Durham Univ., Dep. of Physics, DH1 3LE, Durham, GBR)
資料名：
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
(Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves)
巻： 33 号： 6 ページ： 599-604 発行年： 2012年06月
JST資料番号： A0436B ISSN： 1866-6892 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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