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文献
J-GLOBAL ID：201202242876821100
整理番号：12A0721765
トップとボトム垂直チャネルトンネル電界効果トランジスターにおける比較研究
Comparative Study on Top- and Bottom-Source Vertical-Channel Tunnel Field-Effect Transistors
SUN Min-chul
(Inter-University Semiconductor Res. Center and School of Electrical Engineering, Seoul National Univ.)
,
SUN Min-chul
(TD Team (S. LSI), Semiconductor Business Group, Samsung Electronics Co. Ltd.)
,
KIM Hyun Woo
(Inter-University Semiconductor Res. Center and School of Electrical Engineering, Seoul National Univ.)
,
KIM Sang Wan
(Inter-University Semiconductor Res. Center and School of Electrical Engineering, Seoul National Univ.)
,
KIM Garam
(Inter-University Semiconductor Res. Center and School of Electrical Engineering, Seoul National Univ.)
,
KIM Hyungjin
(Inter-University Semiconductor Res. Center and School of Electrical Engineering, Seoul National Univ.)
,
PARK Byung-gook
(Inter-University Semiconductor Res. Center and School of Electrical Engineering, Seoul National Univ.)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E95-C 号： 5 ページ： 826-830 (J-STAGE) 発行年： 2012年
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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