文献
J-GLOBAL ID:201202243624367097
整理番号:12A1102833
金属ナノ粒子援助プラズマエッチングにより生成した半導体円錐形ナノ細孔を経由する電圧ゲートイオン輸送
Voltage-Gated Ion Transport through Semiconducting Conical Nanopores Formed by Metal Nanoparticle-Assisted Plasma Etching
著者 (6件):
JAMES Teena
(Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
,
KALININ Yevgeniy V.
(Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
,
CHAN Chih-Chieh
(Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
,
RANDHAWA Jatinder S.
(Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
,
GAEVSKI Mikhail
(Princeton Univ., New Jersey, USA)
,
GRACIAS David H.
(Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
12
号:
7
ページ:
3437-3442
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)