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文献
J-GLOBAL ID：201202243664164741
整理番号：12A1287295
モンテカルロシミュレーションで調べた極端紫外線リソグラフィ用化学増幅レジストにおける確率的効果とラインエッジラフネスとの関係
Relationship between Stochastic Effect and Line Edge Roughness in Chemically Amplified Resists for Extreme Ultraviolet Lithography Studied by Monte Carlo Simulation
KOZAWA Takahiro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 8,Issue 1 ページ： 086504.1-086504.6 発行年： 2012年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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